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Il Dr. Tang ha onorato il terzo premio all'ottavo competizione di innovazione e imprenditoria dei talenti di Jiangsu

2020,11,22
Il 22 novembre 2020, il round finale dell'ottava concorso di innovazione e imprenditoria dei talenti di Jiangsu si concluse a Nantong Haimen. Il dott. Hongming Tang, fondatore e direttore generale di Suzhou Bapi Ma SuperConductor Technology Co., Ltd., ha ricevuto il terzo premio.

Questo concorso di innovazione e imprenditorialità dei talenti di Jiangsu è uno dei più grandi e prestigiosi eventi di innovazione e imprenditorialità nella provincia di Jiangsu. Quest'anno ha adottato una combinazione di formati online e offline, attirando più di 3.300 partecipanti. Dopo diversi round di selezione, 120 concorrenti si sono distinti ed sono entrati nel round finale.

Il progetto che ha partecipato a questa concorrenza è la ricerca, lo sviluppo e l'industrializzazione dei magneti superconduttori per forni di crescita del silicio a cristallo singolo di grandi dimensioni utilizzati nei circuiti integrati a semiconduttore. La principale applicazione dei prodotti sviluppati in questo progetto è in forni di crescita del silicio a cristallo singolo, dove simulano un ambiente di microgravità per sopprimere la convezione all'interno della fusione della fornace. Ciò, a sua volta, migliora la qualità dei singoli cristalli di silicio, affrontando questioni di impurità e scarsa uniformità all'interno dei cristalli. Risolve efficacemente le sfide associate ai tradizionali metodi di crescita di ccochralski, in cui il controllo del flusso del vortice nella fusione, la forma dell'interfaccia solido-liquido, il gradiente di temperatura e la distribuzione uniforme della concentrazione di ossigeno sono difficili. Lo sviluppo e l'industrializzazione dei magneti superconduttori di questo progetto possono promuovere significativamente il processo di addomesticamento dei wafer di silicio di grandi dimensioni, risolvendo completamente il collo di bottiglia nell'industria dei semiconduttori cinesi. Fornisce attrezzature chiave chiave per la fornitura di materiali di base del nucleo a semiconduttore, raggiungendo la piena autonomia nella produzione di wafer di silicio di grandi dimensioni e di alta qualità per circuiti integrati a semiconduttore.

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Autore:

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